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基于世平安森美半導體 LV8310 Single-Phase Pre Driver 應用于車內空調循環(huán)扇方案
- 由于現(xiàn)代人對于生活物質的享受要求愈來愈高,汽車駕駛人對于車內空間主觀的價值感要求也是一樣,不管是行駛時可能產(chǎn)生的種種噪音及靜止時冷氣空調循環(huán)扇的音量亦是,以空調風扇噪音來說,三相馬達也許是低噪的最佳選擇,但整體成本較高,基于成本及整體效能考量,安森美推出的可優(yōu)化超前角單相直流無刷馬達驅動方案,可說是性價比最高的選擇。安森美新推出的LV8310 Single phase pre driver 提供可彈性選擇功率晶體以配合不同功率需求的條件及可調整的轉速曲線以優(yōu)化可控轉速檔次的一致性和可調整超前角功能以優(yōu)化功
- 關鍵字： 安森美 ONSemi LV8310 Single-Phase Pre Driver 車內空調循環(huán)扇
基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風機解決方案
- 近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領域，但其實，有一個已經(jīng)真正落地，大部分人都還沒注意到的應用——直流無刷電機（BLDC）市場正在悄然興起，而且成長迅速。根據(jù)市場公開的資料，2018年全球無刷直流電機的市場規(guī)模為153.6億美元，樂觀的市場研究機構預計未來五年，市場將會以13%的年復合增長率持續(xù)增長；當然也有機構認為年復合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長率，這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節(jié)約能源，
- 關鍵字： Richtek RT7083GQW MCU Gate Driver 壁掛爐熱風機
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關鍵字： NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
基于安森美半導體 NCP1632 Interleave PFC應用于的 1KW 馬達驅動器解決方案
- 馬達驅動系統(tǒng)是工業(yè)環(huán)境中自動化系統(tǒng)的關鍵組成部分，因為它們在電力消耗中占很大比例。這種驅動系統(tǒng)在實現(xiàn)節(jié)能方面具有核心作用。隨著自動化的發(fā)展速度，馬達驅動是未來工業(yè)設施的中堅力量。因應市場的增長及要求，安森美半導體關注于提高馬達驅動系統(tǒng)的效率，同時為更高的電流、更精確的控制和更好的系統(tǒng)可靠性進行設計。安森美半導體完整的馬達驅動解決方案，通過領先業(yè)界的 MOSFET、IGBT、柵極驅動器和電源模組解決了這一挑戰(zhàn)。而此方案，支援各種低電壓電機，包括有刷、無刷和步進馬達，并提供可隔離及高性能運算放大器，保證用電安
- 關鍵字： 安森美 NCP1632 Motor Driver onsemi
基于Toshiba TB9062FNG 的3相Sensor-less BLDC Motor Pre-Driver 之廚房抽油煙機方案
- 隨著馬達(電動機)發(fā)展日新月異, 相對也提升家庭應用需求, 現(xiàn)階段家用抽油煙機要求聲音越變越小, 也要求變頻省電, 更隨著環(huán)保意識抬頭, 抽油煙機的抽風效率更顯重要!排油煙機是煮飯時最重要的工具，如果沒有的話，你再煎魚或是炒菜的時候，會導致全廚房都是油煙味，如果沒有防治好的話，還會飄到客廳房間，除了油煙味很重外，對身體也不好！經(jīng)過研究顯示這些油煙含有多種致癌物，因此為了自己的健康著想，一臺好的排油煙機可以給一個好的煮飯環(huán)境， 可以替你帶走大量廚房油煙, 可以避免吸入致癌物, 同時又能降低噪音讓廚房靜悄悄,
- 關鍵字： Toshiba TB9062 Motor Driver Pre-Driver
SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
- 關鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
高速數(shù)傳中定時同步設計與FPGA實現(xiàn)
- 摘要 文中對適用于高速突發(fā)通信的基于數(shù)字濾波平方的定時同步算法進行了研究。通過對在高速數(shù)據(jù)傳輸通信中，該定時同步環(huán)路的定時誤差估計模塊進行并行結構實現(xiàn)，大幅降低了系統(tǒng)對于時鐘的要求，且更加易于實現(xiàn);將文
- 關鍵字： 高速突發(fā)通信 定時同步 定時控制 Field Programmable Gate Array
Soft-start enhances LED driver
- To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
- 關鍵字： driver LED enhances Soft-start
傳三星正積極研究Gate-last工藝
- 據(jù)消息來源透露，三星公司的芯片制造技術發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃，他們將在年內推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝，而在22nm制程則會轉向采用gate-last工藝。于此同時，三星芯片代工業(yè)務部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
- 關鍵字： 三星 Gate-last
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